近期存储价格大涨，梳理下相关常识，是有点混1.因为AI需求，HBM成了存储焦点

近期存储价格大涨，梳理下相关常识，是有点混

1. 因为AI需求，HBM成了存储焦点有段时间了。现在反而是其它存储涨价更多，有NAND flash、SSD、DRAM、HDD等多种存储，因为各种关联的原因都在涨价。主要原因是国际存储大厂产能转向HBM，导致其它产品供给不足。

2. 存储主要分两种，断电信息就没了的，这是DRAM和HBM，都叫内存，HBM是访问速度快。断电信息还在的，是NAND以及HDD。HDD就是机械硬盘，NAND是芯片。HDD以前叫“磁盘”，最早容量小的叫“软盘“，后来叫“硬盘”，原理都是改变磁盘表面的磁性方向来存储0和1。NAND是半导体晶体管，速度快。还有些变体，如用于车规级的存储。

3. NAND flash就是存储芯片，叫“闪存”，别的啥也没有。SSD就是把NAND flash加上主控+缓存+PCB+接口，能像硬盘一样读写了，就是SSD硬盘。手机里存储数据不是HDD，是用NAND flash来存数据，但和主控封装在一起，都放进主板，叫UFS/eMMC，算是个嵌入式模式，不能动。所以手机卖出后没法增加存储，电脑增加SSD硬盘容量很容易。HDD硬盘价格，容量越大，每GB越便宜，因为主控、缓存这些成本是固定的，加盘片成本不高。而SSD硬盘主要成本是NAND flash芯片，容量大了每GB也不便宜。所以1TB的SSD硬盘只比HDD贵一点，到4TB就要2-3倍了，更大的能差10倍。

5. 中国NAND flash生产不太落后了，也就2年差距，是长江存储的巨大技术贡献，Xtacking可能是中国半导体产业最国际知名的原创技术，三星美光等国际大厂都要用。是把一个难生产的存储芯片，拆成两个部件都降低生产难度，最后再严丝合缝搭一起，已经做到232层。虽然市场份额仍然低也就5%上下，美国也卡生产设备，但在芯片各领域算是国产情况相当好的。比较离奇的是，中国HDD机械硬盘产业是空白，市场份额0%，希捷、西部数据、东芝三家垄断。这是因为中国集中资源突破NAND/DRAM，未将HDD作为重点。HDD不算正宗半导体产业，虽然精密机械、磁头、盘片涂层技术壁垒挺高，核心部件供应链被日美掌控，但战略意义要低一些，美国也没用它来限制中国高科技。

6. 在内存方面，DRAM领域中国差距是约5年，长鑫存储搞了DDR4和DDR5。DRAM芯片生产技术路线有1x/1y/1z以及1a/1b/1c。1x是制程是16-19nm，算是10nm级工艺，1y是14-16nm，1z约12-14nm，注意这个nm是说存储芯片的制程体系，和逻辑芯片说的等效制程不能同样理解。中国用DUV光刻机搞成了1x量产，已经有市场份额了(2024年4.1%，2025年约6.5%，规划产能更高），部分产线已向1y/1z过渡。但由于1a开始要用EUV光刻机，就被卡，1c到10nm以下了。

7. HBM和DDR内存底层技术差不多，都是晶体管存储0-1，最大区别是带宽有约10倍，用于GPU快速数据传输。如HBM搞1024位超宽并行，而DDR是64位，虽然HBM的频率低些，但总体传输速率高得多。DDR像是8车道，每辆车速300公里，而HBM是1000个车道，每车限速60公里。这么高的并行，是GPU的套路，需要先进封装。所以，中国能生产DDR，理论上也能做HBM，就是指标差一些。HBM和DDR都不停地指标进步，中国因受限，只能做HBM2，国际大厂已经是HBM4了。内存方面，主要还是EUV光刻机卡了影响技术路线。