科创芯片设计相关ETF涨超3%
科创芯片设计相关 ETF（如 589260、588780 等）今日逆势大涨超 3%，核心驱动力在于国产大模型 DeepSeek-V4 发布的“算力饥渴”信号，以及半导体全产业链进入涨价周期引发的估值重塑。
暴涨支撑逻辑
1. 大模型质变驱动：DeepSeek-V4 预览版发布后，Agent 能力与推理性能的提升导致 Token 消耗量级增长。由于算力供给受限，这种强烈的“算力缺口”直接利好处于创新最前端、高毛利的芯片设计环节。
2. 价格调涨扩散：力积电等代工厂全面上调代工价格（驱动 IC 上调 30%、CIS 上调 20%），涨价效应正从单一产品向代工全产业链扩散。同时，12 英寸硅片有望在二季度迎来涨价，量价齐升逻辑正在兑现。
3. 业绩与预期共振：海外存储龙头 SK 海力士一季度利润暴增 4 倍，营业利润率高达 72%，带动国内存储设计（如东芯股份、澜起科技等）及算力芯片龙头（如海光信息）集体走强。
科创芯片设计指数中数字与模拟芯片占比达 95%，其轻资产、高弹性的特征使其在算力扩张期具备极强的进攻性。