内存御三家的扩产进度条：

🌟三星1️⃣龙仁国家产业园（最大項目）： 投资约2,600 亿美元，建设六座晶圆厂，2026 年下半年開工，2031 年完工。专注 HBM4 等先進 DRAM ，采用1b 纳米及未來 1c 纳米制程。2️⃣平泽 P5 工厂： 此前因周期下行暂停建设，现已全面重启，目标 2028 年全面运营。🔢2026 年产能计划： 第二季度、第四季度分别扩产 DRAM 产能至 14 万片/月、20 万片/月。2026 年 DRAM 晶圆产量预计达 793 万片，较 2025 年的 759 万片增长约 5%。

🌟SK 海力士1️⃣M15X 工厂（提前量产）： 为应对 NVIDIA 对 HBM4 的迫切需求，将量产时间从原计划 2026 年 6 月提前至 2026 年 2 月。初始产能规划每月 1 万片晶圆，计划在 2026 年底前扩展至多倍规模。

🤝策略特色： 与台积电深度结盟，将 HBM4 基础裸片采用台积电 12nmFFC 及 N5/N3 工艺，并使用 CoWoS 封装技术。产能扩张几乎完全服务于 HBM 等高附加值产品。

🌟美光$MU资本支出大增，主要用于扩充 HBM 封装产能和加速 1-gamma工艺节点。1️⃣博伊西 ID2 晶圆厂（最高优先级）： 将原计划投入纽约的部分资源重新调配至此，打造全球唯一的"研发+量产"一体化超级中心，预计 2026 年内启动设备安装，2027 年实现有意义的 DRAM 产出。2️⃣爱达荷州： 爱达荷州第一座晶圆厂预计 2027 年年中开始生产（早于预期）；第二座厂 2026 年动工，2028 年投产。3️⃣纽约厂 2026 年初破土动工，2030 年后供应。4️⃣扩建新加坡晶圆厂，增加 NAND 制造用洁净室空间。