西方震惊：俄罗斯刚刚建造了它的第一台芯片制造设备

西方试图通过制裁瘫痪俄罗斯并切断先进芯片供应。 这台设备制造 350nm 芯片——更大、更坚固的晶体管，非常适合军事用途。

这张图片展示了俄罗斯半导体制造中的光刻工艺（Photolithography Process）流程，以及技术人员手持晶圆的实际场景。

以下是图中工艺的详细步骤解析：
光刻工艺核心步骤（350纳米，i-line线）

硅片准备 (Wafer Preparation)
在硅衬底（Si）表面生长或沉积一层二氧化硅（\(\text{SiO}_{2}\)）绝缘层。

涂胶 (Photoresist Application)
通过离心机（Spin Coating）将液态光刻胶均匀涂抹在二氧化硅层表面。

曝光 (Exposure)
使用波长为 365 nm 的紫外光（i-line）照射。光线穿过掩膜版（Photomask），通过物镜将图形聚焦投射到光刻胶上。被光照到的区域（Exposed areas）物理性质发生改变。

显影 (Development)
使用显影液（如 \(\text{H}_2\text{O}\) 和 TMAH）溶解掉被曝光的光刻胶，留下未曝光的光刻胶图形。

刻蚀 (Etching)
使用刻蚀剂（如氢氟酸 HF）溶解掉没有光刻胶保护的二氧化硅层，将图形转移到二氧化硅上。

光刻胶去除 (Photoresist Removal / Stripping)
使用溶剂或剥离剂清除剩余的光刻胶，最终在硅片上得到精细的二氧化硅图形结构。