中芯国际通过DUV光刻机结合芯片堆叠方案（N+3与N+2芯片垂直键合），成功为华为Mate 90芯片实现等效3nm性能，大幅缩小与台积电的制程差距至两年内。该技术突破依赖混合键合（Hybrid Bonding）工艺，绕过了EUV光刻机限制，目前处于小批量试产阶段，性能测试超预期。
中芯国际通过DUV光刻机结合芯片堆叠方案（N+3与N+2芯片垂直键合），成功为华为Mate 90芯片实现等效3nm性能，大幅缩小与台积电的制程差距至两年内。该技术突破依赖混合键合（Hybrid Bonding）工艺，绕过了EUV光刻机限制，目前处于小批量试产阶段，性能测试超预期。
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