光刻机没有一个国家可以做得到，美国都造不出，中国根本做不到！”“中国永远都造不出光刻机？”去年，中国物理学教授朱士尧在一次采访中直言：“美国都造不出，中国永远也造不出来！”甚至认为世界上没有一个国家能造出光刻机。


最近一段2024年9月的采访视频在网络流传开来，物理学教授朱士尧指出，光刻机这类设备已远超单一国家独立完成的能力范围，美国作为科技强国也无法独自制造顶级机型，中国面临的实际差距同样显著。他的话直指产业现实：这种精密装备需要全球顶尖供应商的深度协同，任何国家单独尝试都面临极大挑战。舆论随之分裂，有人视之为对技术复杂性的清醒提醒，有人则认为表述过于直接。
把时间拉回到光刻机本身的核心需求。它是芯片制造中的关键刻画工具，能在硅片上形成比头发丝千分之一还细的电路结构。达到纳米级分辨率，依赖极短波长光源和误差控制在原子尺度的光学系统。目前全球唯一批量生产最先进EUV光刻机的企业是荷兰ASML，但其产品绝非一国之力，而是整合近800家供应商的核心技术，这些供应商分布在欧美日多个地区，每一个部件都承载对应领域的长期积累。ASML首席执行官曾明确表示，即使给出全套图纸，其他国家也难以复制合格设备，因为核心工艺参数和供应链协同经验无法单纯通过文档传递。
一台EUV光刻机重量超过150吨，内部整合数十万套精密部件，拆解运输需约250个集装箱，组装调试则要求250名专业工程师花费约180天，每一步校准都指向原子级精度。这种规模和复杂度，决定了研发制造不是短期投入就能解决的问题。光学系统方面，德国蔡司公司提供投影物镜，由多块非球面镜片组成，每块面形误差控制在0.3纳米以内，相当于把地球表面起伏压缩到1毫米级以下。蔡司采用离子束抛光技术，相关工程师往往需要十年以上经验。中国国望光学研发的EUV物镜系统已实现波像差优于0.75纳米，在实验室条件下一度接近一定水平，但与蔡司指标仍有精度差距，这种差距源于工艺经验的长期迭代，难以靠短期资源完全弥合。
光源系统由美国Cymer公司主导，利用高功率二氧化碳激光每秒轰击数万次锡滴，产生13.5纳米极紫外光，并稳定输出250瓦以上功率以满足量产需求。功率不足会直接影响分辨率和产能。国内哈尔滨工业大学等机构在同类光源研发上取得进展，但输出功率仍在追赶阶段。精密机械部分，双工件台负责硅片高速精准定位，决定生产效率。ASML的双工件台动态稳定性达到0.5纳米级，国内华卓精科虽已量产相关产品，其动态性能仍有提升空间。这些子系统的兼容集成，需要海量数据验证和反复调试，任何微小偏差都可能导致整体失效。
朱士尧的观点正建立在这些产业结构之上。他没有否认单个国家的努力，而是强调独立完成整个系统的难度极大。ASML从1999年投入EUV技术研发，到2019年实现商用，历时约20年，期间还联合多家企业提供资金支持。中国在“十四五”期间明确芯片设备国产化目标，投入资源扶持供应链，聚集数百家企业参与。从加速EUV相关工作至今，时间积累相对较短，与ASML数十年的连续迭代相比存在差距。专利壁垒也构成现实制约，ASML持有大量相关专利，中国企业需通过自主创新绕开或突破，每一项都可能耗费数年精力。曾有报道显示，国内在对DUV机型进行拆解研究时出现设备损坏情况，这从侧面反映出系统级复制的操作难度。
人才短缺同样是长期瓶颈。中国芯片产业在资深模拟IC设计、CPU研发等核心领域存在人才缺口，具备全周期开发经验的骨干人才供应紧张。光刻机研发要求光学、机械、电子等多学科协同，复合型人才培养周期通常长达十几年。这些因素共同塑造了朱士尧表述的背景：光刻机制造体现整体工业生态，单一国家完全独立完成顶级机型的挑战极大。
上海微电子在成熟制程DUV领域推出28纳米光刻机原型，并在工艺验证上取得进展，双工件台等部件本土化率逐步提高。EUV相关子系统如光源和物镜也有实验室层面的突破。尽管设备效率和稳定量产仍需时间，供应链企业数量增加，部分核心指标的本土化率有所上升。在全球技术网络下，没有国家能完全脱离协作实现全部突破，中国正通过本土企业和科研机构的协同，逐步构建自己的供应链闭环。