存储芯片，有重要进展的10家公司第一家：普冉股份主营业务：NORFlash、NANDFlash等非易失性存储芯片设计进展情况：6月23日国家知识产权局公布其异质存储晶圆键合堆叠专利，将NOR与NAND阵列垂直键合集成，可提升性能并降低功耗成本概念关联：专注低功耗NORFlash与SLCNAND，收购诺亚长天补全eMMC/MCP产品线，DDR5配套SPD芯片已批量出货。第二家：德明利主营业务：存储主控芯片、存储模组及存储应用解决方案进展情况：6月下旬披露拟在深圳福田拿地建设智能存储管理研发总部基地，项目总投资11.75亿元，成熟期预计产值超400亿元概念关联：自研企业级SSD主控芯片H3361已推出，覆盖SATA/PCIe双模，光明智能制造基地定位高端存储制造与测试验证中心。第三家：北京君正主营业务：车规级SRAM、DRAM、NORFlash存储芯片与微处理器进展情况：6月22日机构调研披露3DDRAM紧密研发中，面向边缘端大模型，DDR4与LPDDR4收入占比首超DDR3，产品结构持续升级概念关联：车规级存储产品线齐全，覆盖SRAM、DRAM、NORFlash，新增三家代工厂保障20/18/16nm制程产能供应。第四家：兆易创新主营业务：NORFlash、利基型DRAM、MCU等芯片设计进展情况：6月16日"存储芯片测试方法"专利获国家知识产权局授权，通过崩应循环测试优化可减少误判概率并降低测试成本概念关联：NORFlash、利基DRAM与SLCNAND三大存储产品线并行，LPDDR4小容量及DDR48Gb新制程产品年内流片推进。第五家：东芯股份主营业务：NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片设计进展情况：6月中旬披露1xnm闪存产品已实现量产销售，多款车规级存储型号通过AEC-Q100验证，进入多家整车厂白名单概念关联：覆盖NAND、NOR、DRAM及MCP多品类存储，2xnmSLCNAND与中高容量NORFlash研发持续推进。第六家：澜起科技主营业务：内存接口芯片、互连芯片设计进展情况：6月上旬完成DDR5第六子代RCD芯片工程样品批量送样，传输速率较上一代提升15%，适配下一代高密度服务器与AI推理场景概念关联：全球内存接口芯片核心供应商，DDR5RCD与MRCD/MDB芯片持续迭代，PCIe、CXL互连芯片形成第二增长线。第七家：佰维存储主营业务：存储模组、嵌入式存储及先进封测业务进展情况：6月9日公告与某存储原厂签订24个月锁量锁价采购合同，总金额18.61亿美元，锁定企业级闪存颗粒中长期供应概念关联：覆盖消费级、工业级与企业级存储全场景，东莞松山湖晶圆级先进封测项目逐步释放产能。第八家：华天科技主营业务：集成电路封装测试，含存储芯片封测进展情况：5月22日公告控股子公司华天南京投资30亿元建设先进封测基地二期二阶段，聚焦存储芯片全流程封测，建设期两年概念关联：南京基地重点布局AI算力、服务器、车载等领域存储封测产能，建成后预计年封测存储集成电路约4.3亿只。第九家：江波龙主营业务：存储模组、自研主控芯片及存储解决方案进展情况：5月20日向特定对象发行股票申请获深交所审核通过，募资投向自研主控芯片、高端存储产品研发及先进封测产能建设概念关联：聚焦PCIeSSD、UFS、eMMC等主控芯片自主研发，企业级SSD与RDIMM内存等高端存储产品线同步拓展。第十家：通富微电主营业务：集成电路封装测试进展情况：1月发布定增预案，拟投入8亿元用于存储芯片封测产能提升项目，扩充DRAM、NAND等存储产品封装测试产能规模概念关联：覆盖存储芯片全系列封测工艺，配套汽车、高性能计算等多领域存储需求，与国内存储原厂保持合作。当下，海外头部厂商调整产能布局，将更多产能向高附加值存储产品倾斜，通用型存储的供应缺口扩大，带动DRAM、NAND闪存价格连续上涨。国内核心存储厂商的扩产计划正稳步落地，产品良率与市场占比逐步提升，叠加产业基金注资与相关税收优惠政策落地，内外发展环境良好。提醒：本文梳理所有内容仅供参考，不代表本人倾向。篇幅有限，有所疏漏，欢迎大家留言交流。