三大存储巨头扩产
三星:十年半导体万亿级投资,平泽扩HBM产线,2026年底HBM产能翻三倍,主攻1c DRAM、高端3D NAND。
SK海力士:千亿韩元扩产,HBM月产能翻倍;青州新建NAND大厂,拟IPO募资加码AI存储。
美光:93亿美元扩建广岛HBM工厂,美、新同步建厂,加码HBM4与车载存储。
扩产全部倾斜高毛利AI内存,短期供需缺口难缓解,

三大存储巨头扩产
三星:十年半导体万亿级投资,平泽扩HBM产线,2026年底HBM产能翻三倍,主攻1c DRAM、高端3D NAND。
SK海力士:千亿韩元扩产,HBM月产能翻倍;青州新建NAND大厂,拟IPO募资加码AI存储。
美光:93亿美元扩建广岛HBM工厂,美、新同步建厂,加码HBM4与车载存储。
扩产全部倾斜高毛利AI内存,短期供需缺口难缓解,
