《金融时报》：苹果的兴趣让长鑫存储成为全球焦点---

近年来，中国半导体产业持续推进国产化，而长鑫存储（CXMT）的崛起，成为这一战略的重要案例。过去长期依赖政府投资、鲜为国际市场关注的长鑫存储，如今随着全球存储芯片竞争加剧以及人工智能产业爆发，逐渐成为全球半导体行业关注的焦点。

据《金融时报》报道，苹果公司已经开始测试长鑫存储生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，用于其在中国市场销售的部分设备。与此同时，苹果还联合其他美国科技企业，推动美国政府允许更广泛地使用中国存储芯片产品。

这一变化标志着长鑫存储地位的显著提升。过去近十年间，公司投入数十亿美元进行技术研发和产能建设，一度长期亏损。但随着全球存储芯片供需变化以及AI产业带来的需求增长，长鑫存储的财务状况迅速改善。其招股书显示，公司今年第一季度净利润达到330亿元人民币，而此前十年累计亏损约370亿元人民币，实现了从长期投入阶段向盈利阶段的转变。

目前，长鑫存储已经成为全球第四大DRAM制造商，仅次于韩国的SK海力士、三星电子以及美国美光科技。根据SemiAnalysis的数据，长鑫存储2025年约占全球DRAM晶圆产能的11%，预计随着合肥、上海和北京新生产线投产，到2028年这一比例可能提高至15%。

不过，长鑫存储的发展并非完全依靠自主突破，其技术路线也吸收了大量海外技术资源。2016年，兆易创新创始人朱一明启动合肥政府支持项目，希望建立中国自主DRAM制造能力，减少对进口存储芯片的依赖。2019年，长鑫存储从破产的德国半导体企业奇梦达（Qimonda）获得关键专利，这些技术被认为构成其DRAM业务的重要基础。

与此同时，长鑫存储还吸收了大量海外人才，包括来自德国、韩国和中国台湾地区的半导体工程师。公司也与荷兰光刻设备巨头ASML保持合作关系，目前仍依赖ASML提供的DUV（深紫外）光刻设备进行芯片制造。由于尚未被美国列入实体清单，长鑫存储仍能够采购符合出口限制要求的部分半导体设备。

长鑫存储的快速成长，与合肥地方政府长期扶持密不可分。合肥不仅提供土地、融资和补贴，还帮助企业吸引上下游供应商和客户，围绕长鑫存储打造半导体产业集群。数据显示，2023年至2025年间，长鑫存储获得至少60亿元人民币政府补贴。目前，公司拥有多家国有股东，合计持股比例达到36%。

这一模式与中国此前发展光伏、新能源汽车产业的路径类似：政府长期投入，通过打造完整产业链，推动企业扩大规模，最终形成国际竞争力。但这一模式也引发海外竞争者担忧，认为中国企业未来可能通过大规模扩产和降低成本，对全球市场形成压力。

不过，DRAM市场的成功并不意味着长鑫存储已经完成突破。未来真正决定其竞争力的，是人工智能时代最关键的存储技术——高带宽存储器（HBM）。

HBM是人工智能加速器的重要组成部分，目前市场主要由SK海力士、三星和美光三家公司占据。相比这些领先企业，长鑫存储在HBM领域仍处于早期阶段。公司虽然已经开始布局HBM，并将部分新生产线用于相关研发，但其产品尚未形成大规模商业应用。

长鑫存储在HBM发展过程中面临的重要障碍，是先进制造设备限制。由于无法采购ASML最先进的EUV（极紫外）光刻机，其制造成本和技术难度高于海外竞争对手。分析人士指出，缺少EUV设备导致长鑫存储HBM产品良率较低，也增加了中国企业追赶先进水平的难度。

尽管如此，业内人士普遍认为，中国推动HBM发展的决心不会改变。长鑫存储现有DRAM业务产生的利润，以及未来IPO融资获得的资金，都可能成为其长期研发投入的重要来源。

从更大的战略角度看，长鑫存储已经不仅是一家存储芯片企业，而是中国构建自主人工智能供应链的重要组成部分。北京希望通过发展国产存储芯片，降低对韩国、美国供应商的依赖，并提升在AI产业竞争中的自主能力。

长鑫存储的发展轨迹显示，中国半导体产业正在从“追赶成熟技术”逐渐迈向“争夺全球市场份额”。虽然在最先进的HBM、EUV等领域仍存在明显差距，但其通过政府支持、产业链整合、人才吸收和持续投入建立起来的竞争体系，已经使其成为全球存储芯片格局中不可忽视的新力量。

未来几年，长鑫存储能否突破HBM技术瓶颈，将成为判断中国半导体产业是否能够进一步实现自主化的关键指标。