美国银行近日发布的全球存储周报显示，SK海力士至2028年实际可新增的存储芯片产能，仅为最初规划水平的六分之一。

美银估算，扣除旧厂因技术升级关闭及制程微缩导致的产能减损后，韩国每年实际净增的运营存储晶圆产能不足10%，到2030年将远不及韩国总统李在明此前高喊的产能翻倍目标。据存储芯片行业知情人士透露，仅完成光州和全罗厂区的地基建设就需要约五年时间，此后还需三到四年用于洁净室搭建及芯片制造设备安装。完整建立两处厂区的制造生态系统预计耗时超过十年。

这意味着任何新产能的大规模释放在2028年之前都难以实现。