让中国光刻机“变成废铁”，日本对华下狠手，外媒：比美国人还绝。 2023年3月，日本经济产业省公布将23种半导体制造设备列入出口管制名单，从7月起生效，这些设备包括清洗、沉积、光刻和成膜类型。西村康稔作为大臣在记者会上说明，这适用于所有国家，但实际重点影响中国市场。不同于美国直接禁止高端极紫外光刻机出口，日本用逐件审批方式，即使小零件如螺丝或光刻胶，也要提交申请等批准。尼康和东京威力科创等企业调整对华供应，针对中国现有生产线，逐步限制维修零件、技术援助和耗材。 外媒报道中提到，日本这种管制比美国更彻底，美国重点阻挡中国未来技术，日本则破坏当下产能。一家光刻胶企业如JSR优先供货韩国，却以原材料短缺拒绝中国订单。中国工厂产能受影响，光刻胶不稳导致芯片缺陷增加，停机时间延长。光学部件更换依赖日本垄断，全球少数企业生产此类部件。维修中断使故障扩大，远程支持停止后修复难度加大。耗材市场日本占70%以上份额，这种控制让管制直接打击产业链。 日本管制覆盖DUV设备及耗材，不针对未问世技术，而是瞄准已投产生产线，通过切断备件和服务，让设备逐渐无法运转。相比美国禁止EUV和高端软件，阻止7纳米以下制程，日本方式让现有产能带病运行，设备停机率上升，良率下降。某光刻胶企业告知中国客户订单无法保障，却向韩国足额供货，这种变相封锁明显。全球科技博弈中，美国是切断未来，日本是破坏根基，两者策略不同。 2023年下半年，中国企业面对供应中断，加速备胎方案，产能利用率降到70%以下，成本上升。上海微电子推进28纳米浸没式深紫外光刻机，原计划2025年交付，提前到2024年底推出样机，核心部件国产化率达90%，摆脱日本零件依赖。南大光电和晶瑞电材验证光刻胶工艺，用18个月完成量产，原本需3到5年。2023年7月，中国商务部对镓和锗等金属出口管制，欧美日企业评估供应链，中国企业扩大市场份额，形成反制。 日本企业如尼康三成营收来自中国，管制后订单减少，股价波动。东京威力科创收入下滑，调整生产线。西村康稔2023年12月辞职后接受调查，丑闻涉及自民党派系未报告资金。 中国半导体自主化浪潮兴起，从2023年管制开始，到2025年，本土光刻胶本土化率从20%升到50%，适应高数值孔径需求。2024年，日本进一步收紧管制，新增中国实体到清单，但中国企业突破显著。上海微电子28纳米光刻机良率达90%，成本仅ASML同类1/3，2025年计划交付10台以上。EUV光刻机进展中，采用LDP技术，2025年第三季度进入试产，激光诱导放电等离子体稳定性波动0.8%，优于ASML，设备体积缩小到三分之一，已获专利。 2025年，中国光刻机供应链国产化率升到12%，较2024年增长5个百分点，尤其i线前道光刻机和中低端DUV领域。工信部目录中，国产ArF光刻机分辨率65nm，套刻精度8nm，支持28nm芯片部分工艺。整体投资超1000亿美元，保持全球300mm设备支出第一。美日管制下，中国研发支出快速抬升，2024年前三季度A股半导体设备厂商研发费用同比增长50%。 日本2025年两次升级对华管制，力度被外媒称远超美国，但自家企业受损，中国反制让日媒承认根基动摇。全球格局中，中国半导体出海东南亚和美洲，关税争端下仍推进。
