铠侠有意明年量产第10代NAND，追赶三星和SK海力士

日本的铠侠已将下一代NAND的量产作为明年重点优先事项提上日程。随着韩国厂商如三星电子和SK海力士推迟自家下一代NAND的商业化时间表，此举被解读为迅速缩小技术差距的战略举措。

据业内人士23日透露，铠侠计划明年启动第10代（BiCS 10）NAND的量产。

铠侠是日本主要的NAND制造商之一。根据市场研究机构TrendForce的数据，该公司在去年第四季度占据全球NAND市场14.1%的份额，位列第三——落后于三星电子（28.0%）和SK海力士（22.1%）。

也有观点认为，铠侠正加速推进技术升级。在其最近的财报发布中，公司将“第10代BiCS NAND的推出”列为2026财年（2026年4月至2027年3月）的战略重点之一。其最新季度资本支出同样集中在第8代和第10代NAND上。

NAND通过垂直堆叠更多存储单元（内存存储的最小单位）来实现演进。铠侠采用其专有的单元堆叠技术BiCS（Bit Cost Scalable）。第10代BiCS总共堆叠332层，与上一代（218层）相比，每单位面积存储容量提升59%，数据传输速度提高33%。

话虽如此，铠侠实际将量产多少第10代NAND仍不明朗。一位半导体行业官员表示：“铠侠原本计划最早从去年下半年开始投资第10代NAND，但目前仍未确认订单”，并补充称“今年下半年情况将更明朗”。

如果铠侠确实推进第10代NAND的量产投资，预计将能更快缩小与三星电子和SK海力士的技术差距。韩国企业也在开发第10代NAND，但尚未执行实际的量产投资。

三星电子原本计划今年量产其430层级别的第10代NAND，但该计划已推迟至最早明年。实现第10代NAND的高技术难度以及市场需求被视为促成因素。

一位知情人士表示：“三星电子正在审议第10代NAND转换投资的时机，目前尚未分享任何具体的设备订购计划”，并补充称“SK海力士的情况也是如此”。