芯片发热的初中物理基础公式：Q=I*I*R*T，或Q=U*I*T，其中U=I*R。目前从DUV到EUV主要在半导体线路的切割，使得走线更细发热得以有效控制。ARM+高通+ASML+台积电的技术路径是把线割得更细，总体电流电阻更小，发热量更小，即电流I更小和阻抗R更小。华为的路径在短时间无法突破EUV光刻机的情况下，利用堆叠技术，缩短了电信号传输时间，把工作时间压缩，即时间T变得更小后，完成一步指令更快，发热也会更小，同样也能把总的热量控制好！ASML的EUV集西方工业之大成，确实厉害，不得不服。但华为另辟蹊径的创新，也足以载入史册。华为为首的中国芯片企业能否制造出EUV光刻机？能！这点请放心。西方芯片公司能否借鉴华为的韬定律改进芯片，不能说没有可能，但微乎其微！原因在于中国的芯片企业从底层设计、芯片设计到加工制造，已经形成一个整体，而西方的芯片各个环节依然各自为战，缺少统一的领导规划，并不适合使用韬定律。

韬定律还有一个技术红利，即，系统流畅！华为整体芯片工艺在5nm-7nm左右，芯片发热一定会使得芯片工作效率变低，系统体验为变卡了！但华为这几年手机总体很流畅，就是韬定律的一种红利，虽然制程工艺没有极大突破，但堆叠技术使得整体的指令执行周期变短了，系统当然变快了、变流畅了。这就是这几年华为制程工艺落后的情况下，系统流畅度依然可以和苹果、高通系列掰掰手腕的原因，当然这需要鸿蒙系统的加持，系统流畅是微服务架构的鸿蒙+韬定律麒麟芯片的综合体验。