“光刻机没有一个国家可以做得到，美国都造不出，中国根本做不到！”“中国永远都造不出光刻机？”去年，中国物理学教授朱士尧在一次采访中直言：“美国都造不出，中国永远也造不出来！”甚至认为世界上没有一个国家能造出光刻机。 朱士尧教授这话是有一定道理的，他说的“独立造出”，可不是说凑出一台能转的机器就行，是从头到尾不依赖任何国家的技术、零件，全靠自己搞定，这难度可比登天还大。 光刻机的难，难在集全球高端制造之大成，是人类工业文明的顶尖结晶，它需要跨越光学、机械、电子、材料、精密控制等数十个学科，每个细分领域都要达到毫厘不差的极致精度。 核心部件的制造更是难如登天：光源系统要产生稳定且能量集中的极紫外光，波长需控制在13.5纳米，相当于头发丝直径的百万分之一；投影镜头由数十片高纯度石英玻璃组成，每片的表面精度误差不能超过0.1纳米，比原子直径还要小；工作台要实现纳米级的移动定位，在高速运动中保持纹丝不动，其难度不亚于让一列飞驰的火车精准停在针尖上。 更苛刻的是，这些部件不仅要单独达标，还要在整机中实现完美协同，任何一个环节的微小瑕疵，都会导致光刻精度失效。 美国之所以造不出，核心在于缺乏完整的自主产业链支撑，光刻机从来不是单一国家能独立完成的产物，即便是科技霸权的美国，也存在关键领域的短板，其光源技术长期依赖美国Cymer和日本Gigaphoton的垄断，而高精度镜头则依赖德国蔡司的独家供应，这些核心部件的研发需要数十年的技术积累，美国本土企业难以在短时间内补齐。 更重要的是，光刻机的制造需要全球产业链的深度协同，美国长期奉行技术封锁与单边主义，导致其国内缺乏完整的产业生态，无法形成从材料研发到部件制造、整机集成的全链条能力，即便美国集中力量攻关，也难以在短期内突破多个领域的技术壁垒，这也是其始终未能独立造出高端光刻机的根本原因。 至于说“中国根本做不到”，这更是戳中了咱们曾经的难处，朱士尧教授说这话的时候，咱们在28纳米的研发上还没完全突破，核心技术被西方牢牢封锁，当时中国光刻机的国产化率不足5%，光源、镜头、工作台等关键部件完全依赖进口，美国联合荷兰、日本等国出台禁令，禁止向中国出口先进光刻机及相关技术，甚至限制相关人才交流。 国内企业在研发中面临无图纸参考、无技术借鉴、无设备支撑的“三无困境”，研发投入巨大却进展缓慢，28纳米制程的良率始终难以达标，更别提更高精度的14纳米、7纳米光刻机。彼时的中国，确实在光刻机领域陷入了“巧妇难为无米之炊”的被动局面。 但朱教授显然低估了中国打破封锁的决心与速度，短短一年时间，中国光刻机领域就实现了跨越式突破，曾经的“不可能”正在被逐一改写，28纳米制程的研发已全面攻克，上海微电子自主研发的28纳米DUV光刻机实现量产，良率达到国际主流水平，成功打破国外垄断。 核心部件的国产化取得实质性进展：科益虹源自主研发的193nmArF准分子激光器，功率达90W，重复频率6kHz，光谱半高宽0.35pm，满足28nm逻辑量产需求，填补了国内空白；福晶科技的LBO、BBO激光晶体全球市占率超80%，其KBF晶体为中科院EUV光源研发提供了关键支撑，固体激光技术能量转换效率达3.42%，接近商用水平；高精度工作台、光刻胶等曾经的“卡脖子”环节，也实现了从0到1的突破，国产化率大幅提升。 如今的中国，已搭建起从核心部件到整机集成的光刻机自主产业链雏形，不再是依赖进口的被动者，虽然在EUV光刻机等更高端领域仍有差距，但28纳米光刻机的量产，已足以满足国内中高端芯片制造的大部分需求，为半导体产业的自主可控奠定了坚实基础。 更重要的是，中国在光刻机领域的突破，打破了西方的技术封锁神话，证明了只要集中力量、持续攻关，就没有迈不过的技术鸿沟。 朱教授的观点基于当时的技术现状虽有一定参考，但却忽视了中国“集中力量办大事”的制度优势与持续创新的发展韧性，光刻机的研发之路固然漫长，但中国用实际行动证明，“永远造不出”的断言终将沦为历史。 从两弹一星到载人航天，从高铁技术到5G通信，中国从来没有被任何技术封锁吓倒过，现在的中国，正在光刻机领域以惊人的速度追赶，未来必将实现更高精度的自主突破。 你觉得中国多久能实现EUV光刻机的自主研发？面对中国的技术突围，西方的封锁还能持续多久？评论区聊聊呗！
